TPFC电(diàn )路的高频桥臂要求功率开关中集成具有低反向恢复时间的二极(jí )管,SiC和GaN功率开关(guān )均适合(hé )此(cǐ )级。安森美(měi )建议,对于(yú )600W至1.2kW的功率水平,使用集成(chéng )栅极驱动器的GaN,而对于1.5kW至6.6kW的应用(yòng ),则使(shǐ )用SiC FET。集(jí )成(chéng )SiC二极管的IGBT可用于20-40KHz的较高频率应用(yòng )。电路(lù )的低(dī )频桥臂可以使用(yòng )低RDS(on)超级结MOSFET或低VCE(SAT)IGBT。对(duì )于(yú )更高功率(4.0 kW 至6.6 kW)的应(yīng )用,设计人(rén )员应考虑采用交错式TPFC拓扑。
Copyright © 2008-2018 日本老肥婆bbbwbbbwzr|国产真实露脸多P视频播放|日韩亚洲国产综合高清|乱码精品一区二区三区|老太婆大BBBBBBBBB|凤凰TV