晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体(tǐ )形(xíng )成的p-n结,在其(qí )界面处两侧形成空(kōng )间电荷层,并建有自(zì )建电场。当不存在外加电压(yā )时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的(de )扩散(sàn )电(diàn )流和(hé )自建电场引起(qǐ )的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏(piān )置(zhì )时,外界电场和自建(jiàn )电场的互相抑消作用使载流子(zǐ )的(de )扩(kuò )散电流增加引(yǐn )起了正向电(diàn )流(liú )。当外界有反向(xiàng )电压偏置时,外界电场(chǎng )和自(zì )建电(diàn )场进一步加强,形成在一(yī )定反向(xiàng )电压范围内与反向偏置电压值(zhí )无关(guān )的反向饱和电流I0。当外加的(de )反(fǎn )向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中(zhōng )的电场强度(dù )达(dá )到临界值产生载流(liú )子(zǐ )的倍增(zēng )过程,产生大量电子空穴(xué )对,产(chǎn )生了数(shù )值很大的反向击穿电流,称为(wéi )二极管的击穿现象。
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