TPFC电(diàn )路的高频桥(qiáo )臂要求功率开关中集成具有低反向恢(huī )复时间的二极管,SiC和GaN功率开关均(jun1 )适合此级。安森美(měi )建议,对于600W至(zhì )1.2kW的功率水(shuǐ )平(píng ),使(shǐ )用集成栅极驱动器的GaN,而(ér )对于1.5kW至6.6kW的应(yīng )用,则使用SiC FET。集成SiC二(èr )极管的IGBT可用(yòng )于(yú )20-40KHz的较高频率应(yīng )用(yòng )。电路的低频桥臂可以使用低RDS(on)超级结MOSFET或低VCE(SAT)IGBT。对于(yú )更高功率(4.0 kW 至(zhì )6.6 kW)的应用,设计人员应考虑采用交(jiāo )错式TPFC拓扑(pū )。
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